BSC094N06LS5ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC094N06LS5ATMA1 von Infineon und BSC117N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC094N06LS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC094N06LS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS™ 5 (logic-level) OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.4 mΩ —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 36 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +150 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 50 W
Pin-Anzahl — 8
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)
Lead-Free — Yes

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