BSP129H6327XTSA1 vs BSP129H6906XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP129H6327XTSA1 von Infineon und BSP129H6906XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP129H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,30 $0,65
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA 350 mA
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W 1.8 W
Gehäuse PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life)
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP129H6906XTSA1
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 Ohm (max)
Operating Mode — Normally-On (Depletion)
Gate-Source Pinch-Off Voltage — [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value]
Anzahl der Pins — 3 functional + 1 tab (4 leads)
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: TJ max]
ESD Protection — Integrated Zener diodes on gate

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