BSP135H6906XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP135H6906XTSA1 von Infineon und BSP125H6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP135H6906XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $0,38
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA —
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C —
Gehäuse PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
MSL-Level 1 (unlimited) 1 (Unlimited)
RoHS-Status Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP125H6327XTSA1
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Betriebstemperatur — -55C to +150C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement
Qualification — Automotive / Industrial grade

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