BSP315PH6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP315PH6327XTSA1 von Infineon und BSD235CH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP315PH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,31 $0,12
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (enhancement mode) OptiMOS™ low-voltage
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C (junction)
Gehäuse PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
RoHS-Status — Compliant (lead-free)
Pin-Anzahl — 6

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