BSS138NH6327XTSA2 vs BSS306NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS138NH6327XTSA2 von Infineon und BSS306NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS138NH6327XTSA2 BSS306NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,15 $0,14
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA —
Power Dissipation (Ta) 360 mW —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
Gehäuse PG-SOT-23 (3-pin) SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
Halogenfrei Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free Pb-free (RoHS compliant)
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
Betriebstemperatur — -55°C to +150°C (TJ)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

Datenblätter & Ressourcen

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