BSS138NH6327XTSA2 vs BSS308PEH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS138NH6327XTSA2 von Infineon und BSS308PEH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS138NH6327XTSA2 BSS308PEH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,15 $0,11
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA —
Power Dissipation (Ta) 360 mW —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
Gehäuse PG-SOT-23 (3-pin) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55 °C to +150 °C
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
Halogenfrei Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel Tape & Reel (T/R)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Transistortyp — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Gehäuse / Bauform — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Anzahl der Pins — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
RoHS-Status — Compliant
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

Datenblätter & Ressourcen

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