BSS84PH6327XTSA2 vs BSS138NH6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS84PH6327XTSA2 von Infineon und BSS138NH6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS84PH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,10 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS84PH6327XTSA2 —
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -170 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 8 ohm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gehäuse PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT-23 (3-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology Family SIPMOS OptiMOS —
Polarity P-Channel Enhancement Mode N-Channel
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Halogenfrei — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]
Packaging — Tape and Reel

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