BTH62001ENAXUMA1 vs BTH60801EPLXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTH62001ENAXUMA1 von Infineon und BTH60801EPLXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTH62001ENAXUMA1 BTH60801EPLXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $1,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family PROFET™ + 48V —
Funktion Smart High-Side Power Switch —
Kanäle 1 —
On-State Resistance (RDS(on) @ 25 °C) 200 mΩ (typical) —
Operating Voltage Range 8 V to 60 V 4 V to 54 V
Continuous Load Current 1.7 A 2.5 A
Ausgangskonfiguration High-Side —
Input Type Active-High / Active-Low —
Current Sense Analog proportional output —
Protection Features Over-current, over-temperature, over-voltage, load-dump, reverse battery Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit
Automotive Qualification AEC-Q100 AEC-Q100 qualified
Functional Safety ISO 26262-ready —
Gehäuse PG-TDSO-8-31 PG-TSDSO-14 (exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +150 °C (junction) -40 °C to +150 °C (Tj)
RoHS-Status Compliant Compliant
Product Type — Smart High-Side Power Switch
Number of Channels — 1
Topologie — High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump
On-State Resistance (RDS(on)) — 80 mΩ (typical)
Nominal Board Net — 48 V (PROFET+ 48V family)
Current Limitation — Adjustable
Diagnostic Output — Current Sense (IS) pin
Input Logic — Active High and Active Low

Datenblätter & Ressourcen

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