BTS3028SDLATMA1 vs BSL215CH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS3028SDLATMA1 von Infineon und BSL215CH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BTS3028SDLATMA1 BTS3028SDLATMA1 - 5A Low-Side Smart Switch | Infineon

BTS3028SDLATMA1 - 5A Low-Side Smart Switch | Infineon

BTS3028SDLATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS3028SDLATMA1 BSL215CH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,21
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Topologie 1:1 N-Channel, Single Channel —
Load Supply Voltage Range 2 V to 10 V —
Continuous Drain Current (I_D) 5 A 1.5 A
On-State Resistance (R_DS(on)) 28 mΩ (typ at 25 °C, V_IN = 5 V) —
Overvoltage Clamp Yes (integrated) —
Overtemperature Shutdown Yes (integrated) —
Current Limitation Yes (integrated) —
ESD Protection Yes (integrated) —
STATUS Feedback Pin Yes —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +150 °C (T_j) —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK, 3-pin + tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel and P-Channel Complementary Pair
Drain-Source Voltage (V_DS) — 20 V
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — 250 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (P_D) — 500 mW
Gehäuse / Bauform — PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP)
Betriebstemperatur — -55C to +150C
Configuration — Half-bridge (1 N + 1 P)
Technology — OptiMOS trench MOSFET
MSL-Level — 1 (unlimited)
Lead-Free — Yes

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