BTS3050EJXUMA1 vs BTG7003A1EPWXUMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS3050EJXUMA1 von Infineon und BTG7003A1EPWXUMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS3050EJXUMA1 BTG7003A1EPWXUMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $2,20
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Technology N-Channel Vertical Power MOSFET (HITFET +12V) —
On-State Resistance (RDS(on)) 50 mΩ (typical at 25 °C) —
Continuous Load Current 4 A —
Number of Channels 1 (Single channel) 1
Topologie Low-Side Switch (1:1) —
Supply Voltage (Vbb) [DATA_NEEDED: Vbb max rating] —
Load Voltage 12 V automotive nominal —
ESD Protection Yes (on IN pin / Source / Ground) —
Thermal Protection Auto-restart overtemperature shutdown —
Strombegrenzung [DATA_NEEDED: ILIM value] —
Gehäuse PG-TDSO-8-31 (TDSO8-31) PG-TSDSO-14-22 (exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj range] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Automotive Grade AEC-Q100 qualified (HITFET +12V family) —
Switch Type — High-Side Power Switch
Configuration — 1:1 N-Channel
Maximum Continuous Load Current — 15.7 A
Operating Voltage Range — 6 V to 18 V
Load Dump Tolerance — 40 V
Idle Mode Quiescent Current — 50 µA
On-Resistance R_DS(on) — 10 mΩ (typ)
Control Input — Active High
Wire Protection — Integrated I²t
Functional Safety — ISO 26262 compliant
Betriebstemperatur — -40C to +150C (TJ)

Datenblätter & Ressourcen

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