BTS3134NHUMA1 vs BTS3118NHUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS3134NHUMA1 von Infineon und BTS3118NHUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS3134NHUMA1 BTS3118NHUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Topologie 1:1 N-Channel Switch/Driver —
Maximum Operating Voltage 42 V —
Continuous Output Current 3 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 50 mΩ typical —
Input Logic Level CMOS / TTL compatible Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible)
Gehäuse PG-SOT223-4 (4-pin, 3+Tab) PG-SOT223-4
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +150 °C —
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Protection Features Over-current, Over-temperature, Over-voltage, ESD —
Status Flag Output Yes (diagnostic feedback) —
Technology SIPMOS (vertical N-channel MOSFET + CMOS logic) —
RoHS-Status Compliant —
Packaging Tape & Reel —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
FET Type — N-Channel
Switch Type — Low-Side Power Switch
Ausgangskonfiguration — 1:1
Anzahl der Ausgänge — 1
Continuous Drain Current — 2.17 A
Operating Voltage (Vbb) — 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C]
Input Protection — ESD protected
Thermal Protection — Thermal shutdown with latch
Fault Protection — Overload, short-circuit, overvoltage, current limit
Betriebstemperatur — -40 C to +150 C junction
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant
Process Technology — Smart SIPMOS (vertical N-channel)

Datenblätter & Ressourcen

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