BTS72002EPAXUMA1 vs BTS3104SDRATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS72002EPAXUMA1 von Infineon und BTS3104SDRATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS72002EPAXUMA1 BTS3104SDRATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,28 $0,84
Product Type Smart High-Side Power Switch (PROFET+2) Low-side power switch (HITFET family)
Topologie 2 x High-Side N-Channel (2:1 outputs) —
Number of Channels 2 1
On-State Resistance (RDS(on)) 66.5 mOhm per channel (typical) —
Continuous Load Current 1.2 A per channel —
Strombegrenzung 0.8 V to 1.2 A (adjustable) —
Operating Voltage (VS) 6 V to 18 V nominal, up to 28 V extended —
Reverse Battery Capability Yes, down to -28 V —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current in uA] [DATA_NEEDED: standby current]
Protection Features Over-current, short-circuit, over-temperature, over-voltage, reverse polarity Overtemperature, overcurrent, short-circuit, overvoltage, ESD
Diagnostic Output Current sense IS pin (analog) —
Betriebstemperatur -40 C to +150 C junction —
Gehäuse PG-TSDSO-14 (14-pin TSSOP with exposed pad) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 AEC-Q100 qualified
MSL-Level 2A (4 weeks) 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Ausgangskonfiguration — Low-side, N-channel
Drain-to-Source Voltage (V_DS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) — 2 A
On-State Resistance (R_DS(on)) Typ — [DATA_NEEDED: R_DS(on) value]
Input Logic Level — CMOS-compatible (active-high)
Supply Voltage (V_IN) — [DATA_NEEDED: V_IN range]
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +150 C
Halogenfrei — Yes

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