EP2C35F484C7N vs EP2C35F484C7 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP2C35F484C7N von Intel und EP2C35F484C7 von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP2C35F484C7N EP2C35F484C7
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $85,20 $54,25
Family Cyclone II —
Logic Elements (LEs) 33,216 —
Total Memory Bits 483,840 bits 483,840 bits
Embedded Memory (M4K blocks) 105 —
Embedded 18x18 Multipliers 35 —
User I/O Pins 322 —
Gehäuse 484-ball FBGA (FineLine BGA) 484-pin FBGA (FineLine BGA)
Process Technology 90 nm CMOS, SRAM-based 90 nm CMOS, 1.2 V core
Core Voltage (VCCINT) 1.2 V —
I/O Bank Voltage (VCCIO) 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (per bank) —
PLL Count 4 —
Global Clock Networks 16 16
Maximum User Frequency 402 MHz (internal logic) —
Configuration Modes JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS), PPA JTAG, Passive Serial (PS), Active Serial (AS)
Betriebstemperatur 0C to +85C (commercial, 'C7' suffix) 0 C to 85 C (Commercial)
RoHS-Status Compliant (lead-free) —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
Series — Cyclone II
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Logic Elements — 33,216 LE
Number of Logic Array Blocks (LABs) — [DATA_NEEDED: LAB count]
Embedded Multipliers (18x18) — 35
Maximum User I/O — 322
Number of PLLs — 4
Core Voltage — 1.2 V
I/O Standards — LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL
External Memory Support — DDR, DDR2, QDRII SRAM
Lead-Free / RoHS — Lead-Free (per 'N' suffix not present; C7 = commercial temp)

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