H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-VKI von SK hynix und H5AN4G8NBJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,98 $3,18
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Datenrate 2666 Mbps 2400 Mbps (PC2400)
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
Gehäuse FBGA-78 TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) —
Temperature Grade Industrial (I suffix) —
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) —
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant (Rohs Code: Yes)
Schnittstelle — DDR4 (JEDEC)
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.

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