H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-RDC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,05 $6,25
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Versorgungsspannung 1.2 V —
Schnittstelle DDR4 (JEDEC-standard) —
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS CMOS
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering)
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Density — 8 Gb
Core Supply Voltage — 1.2 V
Gehäuse — FBGA-96 (PBGA96)
Data Rate Class — Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code)
Application — Main memory (high density, high bandwidth)
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh mode specification]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datenblätter & Ressourcen

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