H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G6NAFR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-VKC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G6NAFR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,25 $3,05
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Core Supply Voltage 1.2 V —
Technology CMOS CMOS
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) —
Speed Grade -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) -RDC (see datasheet for bin timing)
Data Rate Class Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) —
Family H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS-Status Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 8 Gb
Versorgungsspannung — 1.2 V
Schnittstelle — DDR4 (JEDEC-standard)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
Package Code — TFBGA
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing)
Max Clock Rate — [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin]

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