H5ANAG6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NBJR-PBC von SK hynix und H5AN4G6NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,45 $6,60
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96), rectangular
Montageart Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade]
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
Speicherorganisation [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] 256M x 16 (268435456 words x 16 bits)
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Memory Density — 4 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Schnittstelle — DDR4 (double data rate, synchronous)
Package Code — TFBGA
Number of Terminals — 96
Eigenschaften — Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC
Data Rate / Speed Grade — [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
Process — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free)
Temperature Grade — OTHER (per distributor listing)

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