H5ANAG6NCMR-XNC vs H5ANAG6NCJR-XN Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCMR-XNC von SK hynix und H5ANAG6NCJR-XN von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCMR-XNC H5ANAG6NCJR-XN
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $31,40 $71,20
Speichertyp DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Speichergröße 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Datenrate 3200 Mbps/pin 3200 Mbps/pin (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V
Technology CMOS —
Power Class Normal Power —
Schnittstelle Parallel —
Speed Grade XN (3200) —
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96 (96-ball)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Product Status Active —
RoHS-Status RoHS Compliant Compliant
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade]
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 16 Gbit (1G x 16)
Speicherorganisation — 1G x 16
Package Width — 8 mm
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC (Command/Address) — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — 0.074 A (per Vyrian listing)

Datenblätter & Ressourcen

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