H5ANAG6NCMR-XNC vs H5ANAG6NCMR-XNI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCMR-XNC von SK hynix und H5ANAG6NCMR-XNI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCMR-XNC H5ANAG6NCMR-XNI
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $31,40 $4,95
Speichertyp DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Speichergröße 16 Gb 16 Gb
Memory Organization 1G x 16 1G x 16
Datenrate 3200 Mbps/pin 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Technology CMOS CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM
Power Class Normal Power Normal Power
Schnittstelle Parallel Parallel (DDR4)
Speed Grade XN (3200) —
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96
Montageart Surface Mount Surface Mount
Product Status Active Active
RoHS-Status RoHS Compliant —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Versorgungsspannung — 1.2 V
Application Domain — Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics
Memory Format — DRAM
Speed Bin Family — UH/VK/WM/XN
VPP Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage]

Datenblätter & Ressourcen

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