H5ANAG8NBJR-PBC vs H5ANAG8NBJR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NBJR-PBC von SK hynix und H5ANAG8NBJR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NBJR-PBC H5ANAG8NBJR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $31,50 $3,55
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit
Speicherorganisation x8 2G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Speed Grade / Data Rate PBC suffix, DDR4-2666 class —
Gehäuse FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) 78-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Bank Architecture 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) —
Prefetch 8n —
Schnittstellentyp Parallel, SSTL12 —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
CAS Latency (typical bin) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet)
Die Revision BJR —
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) Compliant (lead-free PBGA per family product data)
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard quantity] —
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Schnittstelle — SSTL12
Speed Grade (suffix R) — DDR4-2666 class
Bank Groups — 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet)
Data Strobe — DQS with read/write training
Data Bus Inversion — Supported (DBI)
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Lebenszyklusstatus — Active

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