H5TC4G63CFR-PBL vs MT41K256M16RE-125:D Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63CFR-PBL von SK hynix und MT41K256M16RE-125:D von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | H5TC4G63CFR-PBL | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $4,19 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V |
| Datenrate | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 MT/s |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 |
| CAS-Latenz | 11, 12, 13 | 11 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Betriebstemperatur | — | 0C to +95C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |