HI1175JCB-T vs ADC1175-50CIJM Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von HI1175JCB-T von Renesas Electronics und ADC1175-50CIJM von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Renesas Electronics
HI1175JCB-T HI1175JCB-T - 8-Bit 20 MSPS Flash ADC | Renesas 24-SOIC

HI1175JCB-T - 8-Bit 20 MSPS Flash ADC | Renesas 24-SOIC

HI1175JCB-T Nrnd

Spezifikationsvergleich

Parameter HI1175JCB-T ADC1175-50CIJM
Marke Renesas Electronics Texas Instruments
Kategorie ADC/DAC ADC/DAC
Lebenszyklusstatus NRND Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,25 $3,65
Auflösung 8 bit —
Sample Rate 20 MSPS (minimum) —
Architecture 2-step Flash Two-Step (Pipelined)
Number of Inputs 1 1
Input Type Single-Ended Single-Ended
Output Interface Parallel (CMOS) —
Analog Supply Voltage 5 V 5 V
Digital Supply Voltage 5 V 5 V
Betriebstemperatur -40 C to +85 C —
Gehäuse 24-SOIC (0.209", 5.30 mm width) 24-SOIC (CIJM suffix, 24-pin SOIC)
Supplier Device Package 24-SOIC —
Montageart Surface Mount —
Process Technology 1.4 µm CMOS —
Differential Gain Low (video-grade) —
Differential Phase Low (video-grade) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation] —
ENOB [DATA_NEEDED: ENOB] —
SNR [DATA_NEEDED: SNR] —
Number of Bits — 8
Abtastrate — 50 MSPS
Data Interface — Parallel
Effective Number of Bits (ENOB) — 6.8 bits at 25 MHz input / 50 MHz clock
Conversion Time — 0.02 us
Power Consumption (Active) — 125 mW (typical)
Power Consumption (Power-Down) — < 5 mW
Referenzspannung — Internal or External (ladder top/bottom accessible)
Eingangskapazität — 7 pF (typical)
Integral Nonlinearity (INL) — 0.7617 %
Betriebstemperaturbereich — -20 C to +75 C (extended commercial)

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