IAUC60N04S6L030HATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUC60N04S6L030HATMA1 von Infineon und BSC076N04NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUC60N04S6L030HATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,94 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 6 —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel) Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TJ 60 A —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 3.0 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 35 nC —
Output Capacitance (Coss) 2.128 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 596 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V 4 V (max, typical)
Maximum Power Dissipation (PD) at TC 75 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C -55 C to +175 C
Gehäuse PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per part number suffix) —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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