IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7L006ATMA1 von Infineon und IAUCN08S7N024ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,38 $0,89
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55C to +175C (typical automotive)
Gehäuse PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench OptiMOS 7 trench
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS-Status Compliant —
Pin-Anzahl 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Verlustleistung (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS Compliance — Compliant
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

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