IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUT300N08S5N012ATMA2 von Infineon und IAUT300N08S5N011ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ Aktiv
Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N011ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,20 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C
Gehäuse PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 410 A (Tj)
R_DS(on) max — 1.10 mOhm at V_GS=10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.8 V
Total Gate Charge (Q_g) — 231 nC at V_GS=10 V
Input Capacitance (C_iss) — 16.25 nF
Output Capacitance (C_oss) — 2.6 nF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 130 pF
Power Dissipation (P_D) — 375 W at T_C=25C
Qualification — Automotive (AEC-Q101)

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