IAUZ20N08S5L300ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZ20N08S5L300ATMA1 von Infineon und BSC052N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZ20N08S5L300ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,81 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) 20 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 30 W (Tc) —
On-State Resistance (Rds(on)) 30 mΩ @ 10 A, 10 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) ±20 V (max Vgs rating) —
Input Capacitance (Ciss) 599 pF @ 40 V —
Total Gate Charge (Qg) 10.5 nC @ 10 V —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +175°C -55C to +150C
Gehäuse PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-5) OptiMOS 5
RoHS-Status Compliant Compliant
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
MSL-Level — 1 (unlimited)

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