IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZN04S7L030ATMA1 von Infineon und IAUZ40N06S5L050ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZN04S7L030ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,36 $0,71
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 3.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55C to +175C —
Technology Family OptiMOS-7 —
Channel Type N-Channel —
Gehäuse PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) AEC-Q100 qualified
RoHS Compliance Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 60 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C]
Drain Current at T<sub>j</sub> — 90 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V — 5 mΩ
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A — 6.4 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 2.2 V at 29 µA
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> — 28.2 nC
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 71 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Technology — OptiMOS 5 (super-junction N-channel)
RoHS-Status — Compliant

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