IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB039N10N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB60R040CFD7ATMA1 von Infineon und IPB039N10N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB60R040CFD7ATMA1 IPB039N10N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,19 $2,28
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Verlustleistung (TC=25°C) 227 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C -55C to +175C
Gehäuse PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSL-Level 1 1
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 160 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 214 W
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 3.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd typ]
RoHS / Halogen-Free Status — RoHS compliant, halogen-free
Series / Family — OptiMOS 3

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