IPD052N10NF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD052N10NF2SATMA1 von Infineon und BSC076N04NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD052N10NF2SATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,55 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD052N10NF2SATMA1 —
FET Type N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 118 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max 3.8 V @ ID=84µA —
Gehäuse / Bauform PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
Supplier Device Package PG-TO252-3 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55 °C to +175 °C (TJ) —
RoHS-Status Compliant —
Number of Channels 1 —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

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