IPD135N03LGATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD135N03LGATMA1 von Infineon und BSC0906NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD135N03LGATMA1 BSC0906NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,22 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 30 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 31 W (Tc) —
Gehäuse / Bauform PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) -55C to +150C (junction, typical)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes —
Qualification Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Gehäuse — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Technology — OptiMOS
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Pin-Anzahl — 8

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