IPD60R360P7ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD60R360P7ATMA1 von Infineon und BSC076N04NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD60R360P7ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 OptiMOS 3
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 360 mΩ —
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C 41 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +150°C -55 C to +175 C
Storage Temperature -55°C to +150°C —
Gehäuse / Bauform PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ 3.5 V (typ) —
ESD Protection (HBM) >2 kV (per datasheet) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD20) —
RoHS Compliance Compliant —
Qualification Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) —
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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