IPL60R065C7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPL60R065C7AUMA1 von Infineon und IPB60R280P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPL60R065C7AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,95 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Process Technology CoolMOS C7 (Superjunction) —
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 29 A 12 A
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) 65 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) 180 W —
Gate-Source Voltage (V_GS, max) ±20 V —
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) 3.5 V —
Gehäuse / Bauform PG-VSON-4-1 (Source-Down) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (T_J) -55 °C to +150 °C (T_j max)
RoHS-Status Compliant with Exemption Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) No —
Total Gate Charge (Q_G, typ.) [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] —
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Technology — Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Gehäuse — PG-TO263-3 (D2PAK)
Pin-Anzahl — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

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