IQE013N04LM6ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE013N04LM6ATMA1 von Infineon und IPB35N10S3L26ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE013N04LM6ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $0,48
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) —
Gehäuse PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS Power-Transistor
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 35 A
Gepulster Drain-Strom — 180 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
RDS(on) (typical) — 26.3 mOhm
Anzahl der Pins — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page classification)

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