IQE220N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5SCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE220N15NM5ATMA1 von Infineon und IQE220N15NM5SCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5SCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A 7 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A 44 A
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) —
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 14 pF —
Output Capacitance (Coss) 340 pF —
Ausgangskonfiguration Single N-Channel —
Gehäuse PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-WHSON-8-1 (Source-Down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (Trench >=100V)
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
On-State Resistance (RDS(on)) max — 22 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Anzahl der Pins — 8
Avalanche Rated — Yes
Configuration — Single

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