IR2101PBF vs IR2304SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2101PBF von Infineon und IR2304SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2101PBF IR2304SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $0,48
Configuration Half-Bridge (High and Low Side) High and Low Side, Independent Channels
Input Type Non-Inverting —
Number of Drivers 2 (High-Side + Low-Side) —
Anzahl der Ausgänge 2 2
Supply Voltage (VCC/VBS) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL —
Peak Source Current 0.21 A (210 mA) —
Peak Sink Current 0.36 A —
Offset (High-Side) Voltage Up to +600 V —
Propagation Delay 160 ns —
Undervoltage Lockout Yes —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm) 8-Pin SOIC (SO-8 N)
Montageart Through-Hole Surface Mount
Packaging Tube —
RoHS-Status Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Pb-free)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Both High-Side and Low-Side Channels
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic

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