IR2104SPBF vs IRS2104STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2104SPBF von Infineon und IRS2104STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2104SPBF IRS2104STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,41 $0,45
Funktion Half-bridge gate driver —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Configuration High and Low Side —
Input Type Logic (non-inverting) —
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current 130 mA typical —
Output Sink Current 270 mA typical —
Propagation Delay 680 ns typical —
Anstiegszeit 160 ns typical —
Abfallzeit 60 ns typical —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL Standard CMOS / LSTTL
Undervoltage Lockout Yes (VCC UVLO) —
Deadtime Internally set —
Cross-Conduction Prevention Yes —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Gehäuse 8-pin SOIC 8-Lead SOIC (SOIC-8)
RoHS-Status Compliant (PBF suffix indicates lead-free) Compliant (PbF suffix)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologie — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 150 ns
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40C to +150C
Montageart — Surface Mount
MSL-Level — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial

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