IR2109STRPBF vs IR2109SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2109STRPBF von Infineon und IR2109SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2109STRPBF IR2109SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $1,05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Anzahl der Ausgänge 2 (High-Side / Low-Side) —
High-Side Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Peak Source Output Current 0.2 A (typ) —
Peak Sink Output Current 0.35 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 750 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
ton / toff (typ) 540 ns —
Input Logic Non-Inverting —
UVLO Yes (VCC and VBS) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Dead Time Control Built-in —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
Gehäuse 8-SOIC (3.90 mm Width) SOIC-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
RoHS-Status Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Anstiegszeit — 200 ns
Abfallzeit — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +150 C

Datenblätter & Ressourcen

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