IR21531STRPBF vs IR2127STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR21531STRPBF von Infineon und IR2127STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR21531STRPBF IR2127STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,70 $0,71
Configuration Half-Bridge High-Side
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Anzahl der Ausgänge 2 (high-side, low-side) 1
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Anstiegszeit 80 ns 80 ns (typical)
Abfallzeit 45 ns 60 ns (typical)
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) Non-Inverting
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm body)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
RoHS-Status Compliant (ROHS3) —
Supply Voltage Range — 12 V to 20 V
Output Voltage (Offset) — up to 600 V
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns (typical)
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
MSL-Level — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS — Pb-free (PBF), RoHS compliant
dV/dt Immunity — Yes (high-side floating channel)
Integrated Current Sense — Yes (cycle-by-cycle comparator)

Datenblätter & Ressourcen

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