IRF7769L1TRPBF vs IRF7779L2TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7769L1TRPBF von Infineon und IRF7779L2TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7769L1TRPBF IRF7779L2TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,72 $2,90
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) 100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
Continuous Drain Current (TA=25C) 20 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) 124 A —
Gepulster Drain-Strom 142 A —
Power Dissipation (TA=25C) 3.3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 125 W —
RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm 11 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg 200 nC —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Gehäuse DirectFET Isometric L8 DirectFET Isometric L8
Package Profile 0.7 mm —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (TJ) —
MSL-Level 1 —
Lead-Free Reflow 260C qualified —
Halogenfrei Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 67 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) typical at VGS=10V — 7.7 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Total Gate Charge (Qg) — 11 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.3 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Profile Height — 0.7 mm
RoHS-Status — Compliant

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