IRFB4110PBF vs IRF2805PBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFB4110PBF von Infineon und IRF2805PBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFB4110PBF IRF2805PBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $1,38
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-pin, through-hole)
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET)
Montageart Through Hole Through Hole
RoHS-Status Compliant (Pb-free suffix) Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF2805PBF
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 175 A (pulsed / package-limited)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 150 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 330 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
Configuration — Single N-Channel MOSFET

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