IRFH7084TRPBF vs STL140N4F7AG Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFH7084TRPBF von Infineon und STL140N4F7AG von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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STL140N4F7AG STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFH7084TRPBF STL140N4F7AG
Marke Infineon STMicroelectronics
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,45 $0,95
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +175°C
Gehäuse 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PowerFLAT 5x6
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant —
Halogenfrei Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 140 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 3.2 mOhm @ VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V (min)
Total Gate Charge (Qg) — 60 nC
Input Capacitance (Ciss) — 4500 pF
Output Capacitance (Coss) — 800 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 150 pF
Power Dissipation (PD) — 150 W
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS Compliant — Yes

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