IRFL024ZTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFL024ZTRPBF von Infineon und IRFR3710ZTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFL024ZTRPBF IRFR3710ZTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,26 $0,58
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
Drain-Source Voltage (Vds) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 57.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typ 9.1 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 1 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C —
Gehäuse SOT-223 TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (+ drain tab) —
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 69 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
Betriebstemperatur — -55 C to +175 C (TJ)

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