IRFR024NTRPBF vs IRLL024NTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR024NTRPBF von Infineon und IRLL024NTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR024NTRPBF IRLL024NTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,31 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Series HEXFET Power MOSFET (5th generation) —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (at TC = 25 C) —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A 4.4 A
On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max (at VGS = 10 V) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Typical Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Total Power Dissipation (PD) 45 W (at TC = 25 C) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount SOT-223 (4-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free / PbF terminations) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Polarity — N-Channel
FET Type — MOSFET, Metal Oxide
Operating Mode — Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 3.1 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.065 ohm
Total Gate Charge (Qg) — 10.4 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic Level (5 V drive capable)
Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta — 1.0 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
Technology — HEXFET Power MOSFET
RoHS-Status — Compliant

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