IRFR3710ZTRLPBF vs IRFR6215TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR3710ZTRLPBF von Infineon und IRFR6215TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR3710ZTRLPBF IRFR6215TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $0,38
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Gehäuse TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
Betriebstemperatur -55 C to +175 C (TJ) —
RoHS-Status Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 580 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 44 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
MSL-Level — 1
Lead-Free — Yes

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