IRLR2705TRPBF vs IRLR3105TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLR2705TRPBF von Infineon und IRLR3105TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLR2705TRPBF IRLR3105TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,36 $0,36
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] —
RDS(on) Max at VGS=10V 40 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (compatible with 4V drive) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 13.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 68 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET generation 5) HEXFET (IR MOSFET)
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Rds(on) max @ VGS=10V — 37 mOhm
Rds(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Input Capacitance (Ciss) — 710 pF @ 25 V
Power Dissipation (Pd) at Tc — 57 W
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate Drive Type — Logic-Level
RoHS-Status — Compliant
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Supplier Device Package — TO-252AA (DPAK)

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