IRS2005STRPBF vs IR21271STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2005STRPBF von Infineon und IR21271STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2005STRPBF IR21271STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,18 $1,82
Funktion Half-Bridge Gate Driver —
Driven Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Channel Type Independent —
Anzahl der Ausgänge 2 1
Logic Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.6 A —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range min/max] 9 V to 20 V
Undervoltage Lockout VCC and VBS UVLO integrated —
Input Compatibility 3.3 V / 5 V logic-level inputs —
Gehäuse / Bauform 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Product Status Active —
RoHS-Status Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) —
Configuration — High-Side or Low-Side
Input Polarity — Non-Inverting
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
Anstiegszeit — [DATA_NEEDED: rise time]
Abfallzeit — [DATA_NEEDED: fall time]
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Gehäuse — 8-SOIC (3.90 mm)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

Datenblätter & Ressourcen

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