IRS2110SPBF vs 1ED44176N01FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2110SPBF von Infineon und 1ED44176N01FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2110SPBF 1ED44176N01FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,72 $0,54
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 —
Ausgangskonfiguration Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns 50 ns
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Gehäuse 16-SOIC (SOIC-16 W) 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant
MSL-Level 3 [DATA_NEEDED: MSL level]
Funktion — Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN
Configuration — Non-inverting, single-channel, low-side
Number of Channels — 1
Input Compatibility — CMOS, TTL
VCC Supply Voltage Range — 4.5 V to 25 V
Peak Source Current (typ.) — 0.8 A
Peak Sink Current (typ.) — 1.75 A
OCP Threshold Tolerance — ±5%
OCP Reference — 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing)
Enable Input — Yes (EN, active-high)
Fault Output — Yes (FAULT, open-drain)
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER

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