IRS2110SPBF vs 2EDL5013U2DXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2110SPBF von Infineon und 2EDL5013U2DXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2110SPBF 2EDL5013U2DXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,72 $0,85
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 —
Ausgangskonfiguration Non-Inverting Non-Inverting
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns 4.4 ns
Fall Time (typ.) 17 ns 3.5 ns
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C -40C to +125C
Gehäuse 16-SOIC (SOIC-16 W) PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant
MSL-Level 3 —
Driver Configuration — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Input Logic — Non-Inverting
Number of Channels — 2
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Bootstrap Voltage Rating — 120 V max
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
Bootstrap Diode — Integrated
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout

Datenblätter & Ressourcen

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