IRS2153DSTRPBF vs IRS2453DSTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2153DSTRPBF von Infineon und IRS2453DSTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2153DSTRPBF IRS2453DSTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,86
Topologie Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer RC, CMOS 555-style front-end
Programmable Shutdown Pin Yes —
Gehäuse 8-pin SOIC 14-SOIC (0.154", 3.90 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC and latch-immune CMOS
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free per suffix "PBF")
Lead-Free Yes —
Funktion — Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator
Driver Configuration — High-side and low-side (full-bridge)
Number of Drivers — 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs)
Gate Drive Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC operating range]
Input Voltage (VB offset) — 600 V (high-side offset rating)
Source Current (typ.) — 0.18 A
Sink Current (typ.) — 0.26 A
Bootstrap FET — Integrated
Shutdown Pin — Yes
Input Circuit — RC Input Circuit
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Datenblätter & Ressourcen

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