IS43TR16256AL-125KBL vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und IS43TR16256AL-125KBLI-TR von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Aktiv
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

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Spezifikationsvergleich

Parameter IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBLI-TR
Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,60 $8,25
Speichertyp SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) 4Gbit (256M x 16)
Schnittstelle Parallel —
Clock Frequency 800 MHz 800 MHz
Access Time 20 ns —
Versorgungsspannung 1.35V (backward compatible to 1.5V) —
Gehäuse 96-TWBGA (9x13mm) 96-TWBGA (9x13 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C —
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
Datenrate 1600 Mbps 1600 Mbps
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Number of Terminals 96 —
Datenbusbreite — 16 bit
CAS-Latenz — 11
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V ± 0.1V, -0.067V
Backward Compatible Voltage — 1.5V
Row Cycle Time (tRC) — 20 ns
Row Active Time (tRAS) — 20 ns
Betriebstemperaturbereich — -40°C to +95°C (TC)
Burst Length — 8
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh

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